??氣相沉積設(shè)備是進(jìn)行真空沉積（VD）的設(shè)備，在減壓下使物質(zhì)氣化并在靶材上形成薄膜。

通過使用氣相沉積設(shè)備，可以在目標(biāo)物體上形成光滑的涂膜，并且還可以控制膜的厚度和成分。

氣相沉積設(shè)備的應(yīng)用

氣相沉積設(shè)備可以由多種材料形成薄膜，包括鋁等金屬材料以及有機(jī)和無機(jī)材料。

氣相沉積設(shè)備用于以下目的。

• 光學(xué)薄膜（鏡片增透膜、特殊鏡子等）
• 磁帶（錄音帶、錄像帶等）
• 半導(dǎo)體（有機(jī)EL、LED、太陽能電池等）
• 電子元件（電阻、電容、半導(dǎo)體集成電路等）
• 食品包裝材料（休閑食品袋用鋁蒸鍍膜等）
• 分析用途（樣品制備）

使用旋轉(zhuǎn)泵或渦輪分子泵降低腔室內(nèi)部的壓力，將要沉積的材料蒸發(fā)并沉積在遠(yuǎn)程位置的目標(biāo)上。通過形成減壓狀態(tài)，去除腔室內(nèi)的雜質(zhì)，提高汽化物質(zhì)的擴(kuò)散性，形成具有良好附著力的光滑薄膜。

電鍍是眾所周知的在材料表面形成薄膜的方法，但不同之處在于，電鍍時(shí)從液相供給原料，而在氣相沉積中從氣相供給原料。

氣相沉積設(shè)備的類型

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氣相沉積設(shè)備所采用的氣相沉積方法包括物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（PVD），根據(jù)使物質(zhì)汽化的方法可分為兩種：沉積（Deposition）、CVD）。物理氣相沉積是利用加熱等物理方法使沉積材料氣化或升華來形成膜的方法。加熱方法有電子束、電阻加熱、高頻感應(yīng)、激光等。

• 電子束加熱
  通過對(duì)坩堝內(nèi)收容的耐火材料等氣化材料照射電子束，使其氣化。電子束還可以應(yīng)用于高能量和高熔點(diǎn)的材料。
• 電阻加熱電流通過電阻器（例如
  鎢）以產(chǎn)生熱量，并且通過將沉積材料放在其頂部，沉積材料被加熱并汽化。它適用于低熔點(diǎn)材料，因?yàn)樯邷囟认鄬?duì)困難。
• 將沉積材料放置在纏繞有高頻感應(yīng)加熱
  線圈的坩堝中，高頻電流通過線圈產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)。磁場(chǎng)產(chǎn)生的電流和電產(chǎn)生的熱量加熱電阻迅速升高溫度并汽化薄膜材料。
• 激光加熱
  通過用激光照射沉積材料，提供高能量以使沉積材料蒸發(fā)。

使用等離子體或分子束的方法也是物理氣相沉積方法的類型。

• 分子束外延（MBE）
  通過在超高真空下進(jìn)行真空蒸發(fā)，蒸發(fā)的分子沿同一方向直線行進(jìn)，從而可以更精確地控制薄膜厚度和成分。生長速度慢，需要高真空，不適合較大的設(shè)備，難以批量生產(chǎn)。
• 濺射當(dāng)將惰性氣體（如?氬氣）
  注入 真空中并向電極施加電壓以引起輝光放電時(shí)，等離子化的氬氣與陰極碰撞，踢出陰極上的原子和分子。此時(shí)，如果將待蒸發(fā)的物體放在陽極上，則噴射出的原子就會(huì)沉積在表面。電離方法包括直流電壓（DC）、射頻交流電壓（RF-AC）、磁控管和離子束。